Hlavní navigace

Nastává revoluce v pamětích? NRAM míří do výroby

1. 9. 2016

Sdílet

 Autor: Nantero
Na trh přicházejí nové non-volatilní paměti Nano-RAM (NRAM), které nabídnou až tisícinásobný výkon než běžné DRAM a přitom uchovávají data podobně jako čipy NAND. Podle expertů mají potenciál zcela nahradit současné typy RAM. Prvním výrobcem, který zahájil masovou výrobu, je Fujitsu Semiconductor.

NRAM byly představené poprvé už vloni. Jsou postavené na bázi technologie carbon nanotube (uhlíkové nanotrubičky) a Fujitsu umožní jejich branding podle toho, kdo jej bude prodávat.  Koncem roku 2018 hodlá Fujitsu vyrobit paměťový modul s rozhraním DDR4.

Počáteční výroba ve Fujitsu počítá s výrobou NRAM postavených na bázi 55nanometrového procesu. V této velikosti ale budou moduly schopné uchovávat pouze megabajty dat. Ale dnes už se chystají systémy vyrobené pokročilejším procesem – tedy 40nanometrovým, tvrdí Greg Schmergel, CEO firmy Nantero, která NRAM vymyslela.  

První NRAM se pravděpodobně uplatní v serverech a dalších řešeních v datových centrech. Časem by ale měly najít uplatnění i dalších oborech včetně těch spotřebitelských a dokonce i v mobilech. Kvůli nízké spotřebě i díky tomu, že nevyžadují tzv. čistící operace, jako je tomu u čipů NAND, mohly by NRAM zvýšit výdrž baterie mobilů na neuvěřitelné měsíce (v pohotovostním režimu).

Fujitsu zatím neupřesnilo, zda první sady NRAM budou vyráběné jako DIMM (dual in-line memory module), ale Schmergel uvádí, že jeden jejich partner se chce zaměřit  na výrobu samostatného paměťového řešení s kapacitou gigabajtů a výrobním procesem 28 nm.

Současná NRAM se vyrábějí jako dvouvrstvé systémy, ale podobně jako u NAND se počítá s tím, že se v budoucnu objeví 3D čipy, které výrazně zvýší hustotu paměti (počítá se se 4-8 vrstvami).

Náklady na výrobu u dnešních NRAM jsou podle Schmergela zhruba poloviční ve srovnání s DRAM, a právě přechod do 3D podoby čipů tuto cenovou výhodu dále zvýší.

Výhodou NRAM má být také vysoká odolnost proti poruchám – zatím u buňky flash začnou poruchy už po 5-8 tisících cyklů zápis/mazání (P/E), nejlepší NAND systémy s podpůrnými řešeními typu ECC mají neporuchovou hodnotu P/E okolo 100 tisíc, u NRAM se otestovalo dokonce 1012 P/E cyklů.